紫光国芯推出自研 PSRAM 芯片，最高 128Mb 容量

【导语】紫光国芯发布自主研发PSRAM芯片系列，为物联网等设备提供高效存储解决方案7月1日，紫光国芯正式宣布推出自主研发的PSRAM芯片系列产品。该系列兼容主流接口协议，容量多样，采用超薄封装，并支持多种低功耗模式及宽温域设计，专为物联网设备、穿戴电子产品及端侧AI产品打造高效存储解决方案。

　　7 月 1 日消息，紫光国芯官宣，其自主研发的PSRAM（注：伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布。

　　此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存储解决方案。

　　紫光国芯 PSRAM 产品在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时，将产品速度提升至 1066Mbps，可实现最高 17.06Gb/s 的带宽性能；还可支持在线动态可配置 X8、X16 模式，以适配不同应用的需求。

　　为满足物联网终端设备对长续航的需求，紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计，主力产品支持常规 1.8v 低压供电，即将上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 双压和 1.2v DVFS0.6v 两种超低功耗模式。

　　此外，基于工规级宽温域的设计，该系列产品可适应物联网、智能穿戴等各类复杂应用场景的多样化需求。